引言

鈦合金零件具有結(jié)構(gòu)重量輕、比強(qiáng)度高、抗蝕性強(qiáng)、耐高低溫、抗疲勞等特點(diǎn)，對(duì)飛行器減重增速效果明顯，廣泛應(yīng)用于航空航天裝備。但鈦合金鈍態(tài)電位較高，在不進(jìn)行表面特殊處理的情況下，易與電極電位較負(fù)的鋁合金、鋼質(zhì)機(jī)體等接觸件產(chǎn)生電偶腐蝕與“咬死”，不易裝卸，同時(shí)會(huì)使鈦合金零件析氫導(dǎo)致氫脆，造成飛行器結(jié)構(gòu)破壞。航空航天工業(yè)上，采用傳統(tǒng)電鍍鎘的方法防止鈦合金零件與接觸件間產(chǎn)生電偶腐蝕與“咬死”，但電鍍鎘工藝易引起鈦合金氫脆、鎘脆和鎘的環(huán)境污染，已逐步被真空離子鍍鋁工藝取代。

真空鍍鋁具有比電鍍鎘更好的防腐蝕性能和環(huán)境友好優(yōu)點(diǎn)，已成為表面處理技術(shù)研究熱點(diǎn)，但其設(shè)備高昂、薄膜致密均勻性不足、生產(chǎn)效率低且成本高，已成為其推廣應(yīng)用之瓶頸。

1 、真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀

離子氣相沉積技術(shù)復(fù)雜，設(shè)備研制難度較大，目前多由德國(guó)、瑞士等公司進(jìn)行設(shè)備制造和工藝開發(fā)。巴爾查斯涂層是國(guó)際最大的真空鍍鋁涂層公司，其設(shè)備和技術(shù)不外泄，其設(shè)備價(jià)格昂貴，達(dá)400~500 萬美元。

國(guó)內(nèi)早在1980 年大連理工大學(xué)材料系陳寶清教授等人就立項(xiàng)開展“離子鍍替代電鍍技術(shù)研究及專用設(shè)備的研制”，先后完成鋼鐵件離子鍍覆鋁、鍍鈦、鍍鉻，黃銅件離子鍍不銹鋼以及黃銅件、鋁合金、鋅基合金的離子鍍中間層合金等研究，然而，對(duì)鈦合金件離子鍍覆鋁技術(shù)及裝備的研究至今多停留在高校實(shí)驗(yàn)室或研究院，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展緩慢，這嚴(yán)重限制了鈦合金零件的產(chǎn)能規(guī)模和應(yīng)用范圍。

為滿足國(guó)內(nèi)新型裝備對(duì)鈦合金零件的迫切需求，本文就某航天企業(yè)現(xiàn)有直流內(nèi)單圓柱靶真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備存在的鍍鋁膜厚薄不均、成本高且效率低等批產(chǎn)瓶頸問題，引入閉合磁場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)，采用直流內(nèi)外雙圓柱靶技術(shù)對(duì)現(xiàn)有批產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行改制。

2 、真空離子磁控濺射鍍鋁技術(shù)原理

磁控濺射鍍鋁是在真空中利用荷能離子轟擊靶材，靶材原子被轟擊出來后經(jīng)輸運(yùn)沉積在工件表面成膜。由于在陰極靶材中放置磁鋼，輝光放電兩極之間引入電磁場(chǎng)，運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用其運(yùn)動(dòng)軌跡不再是近似直線穿過放電區(qū)域，而是以擺線和螺旋線的復(fù)合形式在靶周圍作圓周運(yùn)動(dòng)。電子運(yùn)動(dòng)路徑大大延長(zhǎng)且被電磁場(chǎng)束縛在近靶材周圍的等離子區(qū)域內(nèi)，與工作氣體分子碰撞次數(shù)增加，等離子體密度增大，磁控濺射速率得到很大提高，且可在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染傾向，同時(shí)，提高了入射到襯底表面的原子的能量，在很大程度上改善了薄膜質(zhì)量。此外，電子經(jīng)多次碰撞到達(dá)工件時(shí)，已變成低能電子，不會(huì)使工件過熱。因此磁控濺射法攻克了二級(jí)濺射速率低和電子使鍍件溫度升高的難點(diǎn)，獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。

3 、真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備原理結(jié)構(gòu)與存在的問題

3.1 真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備原理結(jié)構(gòu)

真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備原理：真空系統(tǒng)抽氣寅充氬氣寅輝光清洗寅大功率磁控濺射鍍鋁寅高離化率和等離子體密度寅脈沖負(fù)偏壓增加定向運(yùn)動(dòng)寅沉積薄膜。

真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備總體結(jié)構(gòu)采用單室立式圓柱形結(jié)構(gòu)，設(shè)備組成包括：1）真空腔室。由真空爐體、帶觀察窗的真空室門、加熱器、工件架、門鎖鎖緊機(jī)構(gòu)、磁控靶、光柵閥等組成。2）真空系統(tǒng)。包括高真空閥、羅茨泵、擴(kuò)散泵+冷阱、預(yù)抽機(jī)械泵、維持機(jī)械泵、不銹鋼真空管道和閥門等。3）電控系統(tǒng)。包括主控柜、循環(huán)冷卻水柜、偏壓與中頻電源柜、直流電源等。4）其它要件。包括水路冷卻系統(tǒng)、槽子、溫控系統(tǒng)及必要的工裝等。

3.2 單靶材直流磁控濺射鍍鋁結(jié)構(gòu)存在的問題

單靶材真空離子磁控濺射鍍鋁技術(shù)設(shè)備，在很大程度上解決了傳統(tǒng)的表面處理方法環(huán)境污染大（如電鍍鎘）、表面涂層質(zhì)量差（如噴涂鋁）等問題，已初步在某航天公司實(shí)現(xiàn)小范圍應(yīng)用。

然而，由于采用如圖1 所示單靶材結(jié)構(gòu)，在直流磁控濺射過程中，在靶材附近的磁力線保持自身的封閉性，等離子體被電磁場(chǎng)束縛在靠近靶材周圍的等離子區(qū)域內(nèi)，靠近靶材的工件內(nèi)側(cè)的等離子體密度大。從而存在以下不足：

淤批次產(chǎn)品質(zhì)量一致性差。在靠近靶材的工件內(nèi)側(cè)鍍層厚度比外側(cè)厚，且易出現(xiàn)涂層堆積。于設(shè)備效率低且靶材利用率低，成本高。工件外側(cè)受到的等離子體轟擊少，達(dá)到鍍鋁厚度所需時(shí)間延長(zhǎng)，靶材消耗增加，且部分不閉合的磁力線向遠(yuǎn)離靶材的空間擴(kuò)展，部分靶材粒子濺射到真空室腔壁，造成靶材浪費(fèi)。盂鋁涂層形成過程中易混入雜質(zhì)，影響了鋁涂層的純度和結(jié)合力，不利于厚鋁涂層制備。

4 、真空離子磁控濺射鍍鋁設(shè)備改制及其先進(jìn)性

4.1 設(shè)備改制技術(shù)思路及靶分析設(shè)計(jì)流程

針對(duì)單靶材真空離子磁控濺射鍍鋁技術(shù)設(shè)備不足，通過查閱文獻(xiàn)資料，根據(jù)直流內(nèi)外對(duì)靶雙靶閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射裝置設(shè)計(jì)思路，采用內(nèi)外雙靶材對(duì)靶閉合磁場(chǎng)技術(shù)進(jìn)行改制，內(nèi)、外靶磁場(chǎng)相反，構(gòu)成閉合場(chǎng)，在內(nèi)外靶中心的工件浸沒在高密度等離子體中，使涂層的均勻性和致密度得到保證。

靶分析設(shè)計(jì)流程如圖2 所示。

首先，給出設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，計(jì)算其中電磁場(chǎng)分布；其次，確定等離子體分布，進(jìn)而對(duì)濺射和沉積過程進(jìn)行模擬；最后，根據(jù)模擬結(jié)果即靶面刻蝕輪廓、膜厚均勻性等確定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的合理性。

4.2 非平衡磁控濺射靶優(yōu)化方案及先進(jìn)性

在工件外側(cè)增加2 個(gè)與內(nèi)靶磁極相對(duì)的外靶材結(jié)構(gòu)，如圖3 所示，內(nèi)靶磁場(chǎng)和外靶磁場(chǎng)相反，構(gòu)成閉合磁場(chǎng)，內(nèi)外靶以工件為中心對(duì)稱分布，使在內(nèi)外靶中心的工件浸沒在高密度的等離子體中。

靶優(yōu)化方案技術(shù)先進(jìn)性主要如下：

1）內(nèi)外對(duì)靶閉合磁場(chǎng)技術(shù)使在內(nèi)外靶中心的工件浸沒在高密度的等離子體中，大幅提高靶材利用率、涂層均勻性、致密度和沉積效率，有利于沉積厚鋁涂層和保證批產(chǎn)質(zhì)量一致性。2）克服單靶材結(jié)構(gòu)工件周圍的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布不均，從而導(dǎo)致工件鍍層分布不均，靠近靶材的工件側(cè)膜層厚度要比遠(yuǎn)離靶材的工件側(cè)厚之不足。3）突破行業(yè)沒有內(nèi)外靶結(jié)構(gòu)的常規(guī)濺射技術(shù)，為了提高表面涂層均勻性，需要采用復(fù)雜的三維旋轉(zhuǎn)技術(shù)，導(dǎo)致夾具設(shè)計(jì)制造復(fù) 雜之難題。

4.3 設(shè)備達(dá)到的性能

極限真空度：4.8×10^-4Pa

工件在鍍鋁時(shí)間內(nèi)表面溫度小于200℃

適用材質(zhì)：鈦合金、高溫合金、不銹鋼

裝爐量：約3000 件（M4×12 為準(zhǔn)）

5 、結(jié)論與展望

5.1 主要結(jié)論

本文在查閱大量國(guó)內(nèi)外真空離子鍍鋁技術(shù)的參考文獻(xiàn)基礎(chǔ)上，針對(duì)某企業(yè)現(xiàn)有單靶材直流濺射鍍鋁設(shè)備存在的涂層厚薄不均、成本高且生產(chǎn)效率低的問題進(jìn)行研究，引入了閉合磁場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)思路（直流內(nèi)外雙圓柱靶）對(duì)設(shè)備進(jìn)行改制，本文研究成果及結(jié)論如下：采用先進(jìn)的內(nèi)外雙靶材柱形旋轉(zhuǎn)靶對(duì)現(xiàn)有真空離子鍍鋁設(shè)備進(jìn)行改制，將2 個(gè)直流內(nèi)單圓柱靶改制為2 對(duì)（4個(gè)）磁極相對(duì)的內(nèi)外雙靶材結(jié)構(gòu)，內(nèi)靶磁場(chǎng)和外靶磁場(chǎng)相反，構(gòu)成閉合磁場(chǎng)，使在內(nèi)外靶中心的緊固件浸沒在高密度的等離子體中，大幅提高靶材利用率、涂層均勻性、致密度和沉積效率，有利于沉積厚鋁涂層和保證批生產(chǎn)質(zhì)量一致性。裝爐量約3000 件（M4伊12 為準(zhǔn)）。

通過某航天企業(yè)批量生產(chǎn)驗(yàn)證，改制后的設(shè)備完全滿足其高強(qiáng)度鈦合金緊固件真空離子磁控濺射鍍鋁批量生產(chǎn)需要。

5.2 研究展望

下一步，擬對(duì)內(nèi)外雙靶材直流磁控濺射鍍鋁設(shè)備批生產(chǎn)過程中，影響涂層形貌和性能的主要工藝參數(shù)即沉積時(shí)間、真空度、頻率、靶電流、偏壓、占空比、電壓值、爐溫等開 展研究，獲得了批量制備鋁薄膜最佳工藝參數(shù)，拓展鈦合金零件的產(chǎn)能規(guī)模和應(yīng)用范圍，滿足新型航空航天裝備研制和批產(chǎn)需求。

參考文獻(xiàn)

[1]楊富國(guó)，陳曉娟，北原晶子，Aref Alshameri，杜小青，包艷萍，黃德斌.中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)的進(jìn)展[J].材料保護(hù)，2020，53（S1）.

[2]佘鵬，程范江，華龔俊，羅超，程文進(jìn)，陳慶廣.多圈磁場(chǎng)陰極濺射靶的優(yōu)化設(shè)計(jì)[J].電子元器件與信息技術(shù)，2020，4（12）.

[3]陳梓赫.磁控濺射鋁防護(hù)涂層制備及其應(yīng)用研究[D].廣東工業(yè)大學(xué)，2015：9-10.

[4]De Gryse R, Depla D, Mahieu S, et al.Rotatable MagnetronSputtering Dow nscaling for Better Understanding [J].MaterialTechnology, 2011, 26：3-9.

[5]楊林生.非平衡磁控濺射方法替代電沉積技術(shù)的應(yīng)用工藝 研究與設(shè)計(jì)[閱].合肥工業(yè)大學(xué)，2010：8-12.

相關(guān)鏈接